Берлин предупредил Москву о мерах после ареста подозреваемых в шпионаже
Германия предупредила Россию о возможном принятии «дополнительных мер» по мере расследования дела после ареста двоих подозреваемых в подготовке диверсий на военных объектах и шпионаже на Россию, заявил ТАСС российский посол Сергей Нечаев.
По его словам, российской стороне не назвали имен арестованных, наличие российского гражданства не было подтверждено. «Нам не объяснили, почему мы не получили, как это предусмотрено, официального уведомления властей страны пребывания о задержании российских граждан, если они ими являются, не ответили на вопрос о возможности консульского доступа», — заявил глава дипмиссии.
Россия отвергает «бездоказательные обвинения» Германии в причастности к подготовке нападения на американские военные базы по указанию российских спецслужб, подчеркнул Нечаев.
«А с учетом обозначенных в отношении нас дополнительных мер [мы] предупредили, что любые недружественные действия, если таковые последуют, не останутся без ответа. Вряд ли можно считать это угрозой», — сказал посол.
18 апреля немецкая Генпрокуратура сообщила об аресте в Байройте (Бавария) двоих мужчин, которых подозревают в планировании диверсий по поручению российских спецслужб. Речь идет о Дитере С. и Александре Дж., оба имеют гражданство Германии и России.
Дитер С. с 2014 по 2016 год был участником одного из боевых подразделений в ДНР. По версии немецкого следствия, с осени 2023 года он, находясь в Германии, сотрудничал с Москвой: собирал информацию о немецких военных объектах, в том числе об американских военных полигонах. Spiegel писал, что речь идет в том числе об американской базе Графенвёр, где украинские военнослужащие проходят обучение на танках Abrams.
Дитер С. собирался устроить взрыв на объекте промышленной или военной инфраструктуры, заявила Генпрокуратура. Второй подозреваемый — Александр Дж. — оказывал ему поддержку. Их целью был в том числе срыв военной поддержки, которую Берлин оказывает Киеву.
В немецкий МИД был вызван посол России, писало издание Bild.
