Перейти к основному контенту
Экономика ,  
0 

«Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов

После введения властями США ограничений на поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять «Роснано» оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти, заявил в интервью ИТАР-ТАСС глава «Роснано» Анатолий Чубайс. Проект строительства завода реализует международный консорциум с участием «Роснано».
Глава "Роснано" Анатолий Чубайс
Глава "Роснано" Анатолий Чубайс (Фото: ИТАР-ТАСС)

«Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась», — пояснил Чубайс.

Он подчеркнул, что отказ американцев от сотрудничества не привел к срыву пуска завода. О поставке необходимого оборудования договорились с поставщиком из Китая. «Это пример, когда мы сумели быстро найти решение», — заключил глава «Роснано».

Первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила в октябре 2013 года. Общий объем инвестиций в проект превышает €200 млн, включая софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания.

Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Теги
Прямой эфир
Ошибка воспроизведения видео. Пожалуйста, обновите ваш браузер.
Лента новостей
Курс евро на 12 сентября
EUR ЦБ: 100,74 (+0,24)
Инвестиции, 11 сен, 17:51
Курс доллара на 12 сентября
USD ЦБ: 91,27 (+0,15)
Инвестиции, 11 сен, 17:51
Северная Корея запустила баллистическую ракету в сторону Японского моряПолитика, 02:27
Экс-замглавы Липецкой области заочно арестовали с четвертой попыткиПолитика, 02:04
Центр Горловки остался без света из-за попадания снаряда в подстанциюПолитика, 01:55
Блинкен назвал вступление Украины в НАТО неизбежнымПолитика, 01:37
Медведев усомнился в обещанном Лондоном 100-летнем партнерстве с КиевомПолитика, 01:01
В Брянской области сбили украинский беспилотникПолитика, 00:47
Минтранс предложил упростить техконтроль для самозанятых таксистовОбщество, 00:17
Онлайн-курс Digital MBA от РБК Pro
Объединили экспертизу профессоров MBA из Гарварда, MIT, INSEAD и опыт передовых ИТ-компаний
Оставить заявку
Над Белгородской областью сбили шестой за сутки беспилотникПолитика, 00:13
Проекты создания электростанций на юге России разработали четыре компанииБизнес, 00:00
Минэк заложил в консервативный прогноз «переохлаждение» экономикиЭкономика, 00:00
В Кременной в ЛНР украинский беспилотник атаковал пожарную частьПолитика, 11 сен, 23:47
Корабль «Союз МС-26» с двумя россиянами на борту пристыковался к МКСОбщество, 11 сен, 23:35
Джек Ма предупредил, что ни одна компания не будет «на вершине» вечноБизнес, 11 сен, 23:31
В Австралии дверь частного самолета оторвалась в полетеОбщество, 11 сен, 22:36