Прямой эфир
Ошибка воспроизведения видео. Пожалуйста, обновите ваш браузер.
Лента новостей
Состояние пострадавшей в ДТП с участием блогера Эдварда Била ухудшилось Общество, 00:26 Manizha вышла в финал «Евровидения» Общество, 00:02 Как поддержать человека, не решая за него проблемы РБК Стиль и Victory Park, 00:00 BCG назвала самые доходные для акционеров компании России Инвестиции, 00:00 Manizha выступила в полуфинале Евровидения Общество, 18 мая, 23:45 Блинкен заявил о позиции США по Nord Stream 2 после данных о санкциях Политика, 18 мая, 23:43 В Сбербанке рассказали о рекордной сумме хищения у одного клиента Финансы, 18 мая, 23:25 Зоозащитники оценили поручение Путина начать учет домашних животных Общество, 18 мая, 23:14 В ритме мегаполиса: какая повседневная одежда хорошо комбинируется РБК Стиль и Armani Exchange, 18 мая, 23:12 Tut.by сообщил о задержании 12 своих сотрудников за день Политика, 18 мая, 23:03 Хинштейн поспорил с ФСИН о «придуманных» call-центрах в колониях Общество, 18 мая, 22:48 В Санкт-Петербурге повалило деревья и повредило машины из-за непогоды Общество, 18 мая, 22:33 Бумаги «Газпрома» взлетели на снижении риска санкций против Nord Stream 2 Инвестиции, 18 мая, 22:29 Прокурор запросил для социалиста Платошкина шесть лет колонии Политика, 18 мая, 22:15
Экономика ,  
0 

Вспомнить все: "Дочка" "Роснано" первой в мире начала выпуск новой памяти

Компания "Крокус Наноэлектроника" - совместное предприятие "Роснано" и Crocus Technology - запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров. К концу 2014г. производительность составит 500 пластин в неделю.
Фото: Depositphotos
Фото: Depositphotos

Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование "Роснано" в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014г. превысит 8 млрд долл.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988г. эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007г. физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х гг. сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 году первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако только Crocus Technology на текущий момент удалось создать действующий 130-нанометровый чип и продемонстрировать возможность производства 90-нанометровой магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Фото РБК

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus Technology и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.

Строительство производства компании "Крокус Наноэлектроника" на территории Технополиса "Москва" — один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. "Крокус Наноэлектроника" стал первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.